英特尔宣布与爱立信合作，用 Intel 18A 技术为其打造 5G 芯片

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IT之家 8 月 30 日消息，英特尔今日发文介绍了最新的 Intel 18A 工艺的进展。官方表示，Intel 18A 是英特尔“四年五个制程节点”计划的最后一个节点，目前正在稳步按计划推进内部和外部测试芯片中，预计将于 2024 年下半年实现生产准备就绪，2025 年上市。

英特尔表示，目前有五个以上的内部产品正基于最新的 Intel 18A 制程节点研发，Intel 18A 预计将于 2025 年上市。代号为 Clearwater Forest 的下一代能效核英特尔至强可扩展处理器计划将于 2025 年交付，采用 Intel 18A 制程。

代工方面，Intel 18A 制程节点最初将通过英特尔内部产品提升产量，从而让该制程的各种问题都能得到妥善解决，因此将在很大程度上为英特尔代工服务的外部客户降低新制程的风险。日前，英特尔宣布已和新思科技签署多代合作协议，深化在半导体 IP 和 EDA（电子设计自动化）领域的长期战略合作伙伴关系，共同为英特尔代工服务的客户开发基于 Intel 3 和 Intel 18A 制程节点的 IP 产品组合。此前，Arm 已经和英特尔代工服务签署了涉及多代前沿系统芯片设计的协议，使芯片设计公司能够利用 Intel 18A 开发低功耗计算系统级芯片（SoC）；英特尔也将采用 Intel 18A 为瑞典电信设备商爱立信打造定制化 5G 系统级芯片。

同时，英特尔介绍了最新的 RibbonFET 晶体管，它将在 Intel 20A 制程节点推出。

IT 之家附 RibbonFET 晶体管简介：

通过 RibbonFET 晶体管，英特尔实现了全环绕栅极（GAA, gate-all-around）架构。它将和 PowerVia 背面供电技术一起于 Intel 20A 制程节点推出，并在 Intel 18A 制程节点继续被采用，助力英特尔重获制程领先性，提高产品性能，并为英特尔代工服务的客户提供更高质量的服务。

在晶体管中，栅极（gate）作用类似于开关，可控制电流的流通。2012 年，英特尔在业界率先引入了 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，让栅极环绕晶体管沟道的上、左、右三侧，其垂直架构让行业能够在芯片中集成更多晶体管，从而有力地推动了摩尔定律在过去十年的延续。

随着晶体管尺寸越来越小，短沟道效应越来越明显，电流控制越来越难，FinFET 已经达到了物理极限。作为英特尔自 FinFET 之后的首个全新晶体管架构，RibbonFET 全环绕栅极晶体管让带状的晶体管沟道整个被栅极环绕，其好处主要包括以下三个方面：

第一，在 RibbonFET 晶体管中，栅极能够更好地控制电流的流通，同时在任意电压下提供更强的驱动电流，让晶体管开关的速度更快，从而提升晶体管的性能；

第二，RibbonFET 晶体管架构的水平沟道可以垂直堆叠，而不是像 FinFET 一样只能将鳍片并排放置，因此能够以更小的空间实现相同的性能，从而推动晶体管尺寸的进一步微缩；u0001

第三，RibbonFET 还将进一步提升芯片设计的灵活性，其沟道可以根据需求加宽或缩窄，从而更适配不同的应用场景，不管是手机还是电脑，游戏还是医疗，汽车还是人工智能，可轻松胜任按需配置。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。