针锋相对！三星斥巨资与台积电争霸3nm制程，能否成功

台积电可以说是现在芯片代工领域的佼佼者，这两年其以绝对性的优势碾压三星，让三星“颜面失存”。现如今，台积电5nm制程工艺芯片量产一切顺利，开始朝着3nm制程工艺芯片进军，三星也不甘示弱，决定押注3nm制程工艺，其宣布将采用GAA环绕栅级电晶体技术，估计三星这次也是卯足了劲向前冲。

当然，台积电也不是省油的灯，据悉台积电今年将出资150亿至160亿美元，大概会投入80%的资金用于7nm、5nm和3nm先进产能扩增，今年4月29日台积电会在北美技术论坛公布3nm制程状况，届时估计芯片代工领域将有精彩戏码上演。因为目前台积电还未公布其3nm制程工艺芯片的情况，所以届时很有可能会打得三星措手不及。不过，三星目前抢先宣布押注3nm制程工艺市场，或许会获得更多大众的关注。

​现在三星3nm制程主要分为3GAE、3GAP两代技术，3GA的性能比3GAE更强，此次首发的3GAE采用了第一代GAA技术，由全新的GAA电晶体结构构成，三星采用纳米设备制造出MBCFET，能够进一步增强电晶体性能，从而取代FinFET电晶体技术，同时MBCFET技术还能够和现在FinFET制程技术和设备相容，从而大大加快制程开发和生产。三星表示，和7nm制程工艺芯片相比，3nm制程工艺核心面积将减少45%，功耗降低50%，整体性能提升35%，这样来看，三星3nm芯片实力还是很强的。

​另外，三星宣布计划在2030年前将投资1160亿美元打造非记忆体的半导体王国，正是因为在7nm制程工艺和5nm制程工艺节点上比台积电落后，所以三星才会加码3nm制程工艺，想要率先拿到这一赛道的话语权，争取早日赶超台积电成为全球第一大晶圆代工厂，目前台积电对3GAE制程技术寄予厚望，希望能够在2021年实现量产。

​面对三星的猛攻，台积电也在加大对3nm制程工艺芯片的投资，2019年时期宣布投资195亿美元为3nm制程芯片建厂，今年将正式开工，不知道台积电会采用何种技术进行3nm制程工艺芯片的研发。

3nm制程工艺芯片的竞争对于台积电和三星来说是至关重要的一战，这事关话语权事关面子，不知道在这场竞争中是三星一雪前耻，还是台积电继续称霸？